1. 历史性技术授权：向三星输出关键专利 2025年2月，长江存储与三星电子达成专利许可协议，授权其“混合键合”技术用于三星下一代V10闪存芯片开发。这是三星首次从中国存储芯片企业获得专利授权，标志着长江存储在3D NAND领域的核心技术已具备国际竞争力。该技术通过晶圆直接键合，省去传统凸块连接，显著提升存储性能和散热效率，助力三星实现420-430层堆叠芯片的量产。 值得注意的是，长江存储自...
